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功率及化合物半导体论坛

Developed from LED China Conference, Power Semiconductor Forum

日期:2017年3月15-16日 
地点:上海浦东嘉里大酒店
地址:上海市浦东新区花木路1388号

从以硅为代表的第一代半导体开始, 到以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体,再到以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 宽禁带材料为代表第三代半导体。功率及化合物半导体对人类社会和科技影响越来越巨大,应用涵盖半导体照明、激光、显示、移动通讯、消费电子、绿色能源、现代交通等方方面面。

为响应产业需求,SEMI中国整合旗下资源,将于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半导体论坛”, 内容涵盖“LED及光电”、“宽禁带电力电子”、“化合物半导体及通讯”及“新型功率器件” 四个主题版块。

Day1-2016年3月15日

•Session1: LED及光电(原LED China 论坛)

回顾2016 年,LED行业链盈利水平持续降低的趋势渐止, LED产业跨行业并购已经成为一个显著趋势。从三安尝试收购砷化镓通讯半导体制造大厂GCS、到华灿光电收购传感器引领者美新半导体,中国LED制造商借资本之力在更大的泛半导体领域布局。
SEMCON China 2017期间,享誉业界"LED China 论坛“将整合至SEMI旗下”功率及化合物半导体论坛”, 议题更是引领业界前沿,涵盖 Micro-LED、激光、UV-LED、光通讯、蓝宝石、行业的整合与并购等热点议题。

•Session2:宽禁带半导体电力电子

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点,其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景,非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

本次会议将邀请全球宽禁带半导体产业链上最具创新的公司,呈现宽禁带半导体制造前沿技术及在电力电子应用最新趋势。

Day2-2016年3月16日

•Session3: 化合物半导体及通讯
随着近几年智能移动终端出货量大增,化合物半导体市场增长明显加速,产业内相关公司营收增长迅速, 而中国企业在市场增长错失增长红利,国产化进程箭在弦上。
本次会议探讨GaAs、GaN等化合物半导体技术在无线网络升级、卫星导航、汽车电子、物联网等应用浪潮中广阔市场空间和本土企业的机会。

•Session4:新型功率器件
现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。IGBT、 MCT、 IEGT、SiC MOSFET 等电力电子器件的发展不断推陈出新,对材料和半导体制造工艺都提出了更高的要求。

中国企业如何抓住本土市场良机,缩短与英飞凌、ABB、罗姆、东芝、松下等国外巨头的差距,是亟待解决的问题。本次会议将整合设计、制造、封测及应用厂商,探讨行业的机会与挑战。

上届回顾

 

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